n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能(英文)

作者：李谊; 刘琪; 蔡婧; 王喜章; 胡征

来源：无机化学学报, 2014, (11): 2621-2625.

• 有机薄膜晶体管
• n-型有机半导体
• 插入层
• 阈值电压
• 迁移率 organic thin film transistors
• n-type organic semiconductor
• interlayer
• threshold voltage
• mobility

在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl)-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide(NTCDI-C8F)和N,N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide(PTCDI-C8)层后,器件的阈值电压由-19.4V显著降低到-1.8和-8.7V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在105~106。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之...

• 出版日期2014
• 单位南京大学