摘要

实验采用glass/a-Si:H/Al结构,在厚100 nm非晶硅膜上蒸镀了不同厚度的铝膜,利用铝诱导晶化法晶化非晶硅薄膜,结果发现经380℃退火后非晶硅薄膜晶化率在铝膜厚度与非晶硅膜相等时有最大值,且其晶化率随晶粒尺寸的增大而增大,而其表面粗糙度随铝厚度的增加而增大。