分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究

作者:徐晓华; 牛智川; 倪海桥; 徐应强; 张纬; 贺正宏; 韩勤; 吴荣汉; 江德生
来源:Acta Physica Sinica, 2005, (06): 2950-2954.

摘要

报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.