科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成,包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N-GaN层、量子阱层(MQW)、P型GaN层即P-GaN层；所述N-GaN层包括刻蚀露出的N-GaN层和刻蚀形成的N-GaN层。本发明保证器件调制带宽的同时提高了发光效率,同时ICP刻蚀微米孔阵列后,继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品,预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
- 出版日期2020-7-29
- 单位中山市华南理工大学现代产业技术研究院; 华南理工大学
