碳化硅单点金刚石超精密切削加工残余应力的离散元模拟

作者：姜胜强; 谭援强; 杨冬民; 盛勇

来源：硅酸盐学报, 2010, (05): 918-923+930.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2010.05.034

• 碳化硅
• 切削加工
• 残余应力
• 离散元
• 模拟 silicon carbide
• cutting
• residual stresses
• discrete element method
• simulation

通过力学性能数字试验模拟及校准,建立了碳化硅陶瓷的离散元模型和单点金刚石超精密切削加工的模型,并对其微加工过程进行了动态模拟;分析了在不同刀具前角、切削速度及切削深度等加工条件下残余应力随工件深度方向分布的影响。结果表明:当刀具前角处于小负前角时(–20°～0°),切削后的残余应力较小,否则当前角过大或者过小时,会产生较大的残余应力;残留在工件内的残余应力随切削速度以及切削深度的增加而增加。最后得出了不同加工条件下的残余应力云图,通过对残余应力产生机理的分析,验证了利用离散元法分析加工后材料的残余应力是可行的。

• 出版日期2010
• 单位湘潭大学; 利兹大学