摘要

ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特点,因此,被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料,在平面显示器、太阳能电池透明电极、表面声波材料、发光元件以及压敏电阻器等光电器件领域有着广阔的应用前景。近年来受到越来越多研究者的注意,成为半导体领域里的一个研究热点。 本论文介绍了ZnO薄膜研究的国内外最新进展,并综述了ZnO薄膜的主要生长技术及原理。 本论文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,以乙醇为溶剂,醋酸锌为前驱体,二乙醇胺为稳定剂反应制得溶胶,用浸渍提拉法和旋转涂敷法在普通石英...