分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气

作者：江丕桓李月霞杨富华王杏华

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1986, (02): 216-218.

• 分子束外延
• 二维电子气
• GaAs/N-Al_xGa
• X)As
• 异质结
• 隔离层
• 电子浓度
• 施主杂质
• 朗道能级
• 半绝缘

<正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N-

• 出版日期1986
• 单位中国科学院半导体研究所