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A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control
作者：Gacevic Z; Lopez Romero D; Mangas T Juan; Calleja E
来源：
Applied Physics Letters
, 2016, 108(3): 033101.
DOI：10.1063/1.4940197
出版日期
2016-1-18
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