HfO_x缓冲层对γ-Fe_2O_3纳米微粒膜电阻开关特性的影响

作者：刘志江; 张守英; 霍进迁; 李建; 邱晓燕

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2014, (04): 417-424.

• γ-Fe2O3纳米微粒
• HfOx薄膜
• 电阻开关特性 HfOx films
• γ-Fe2O3 nano-particles
• resistive switching memory

本文利用射频磁控溅射和滴涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了HfOx/γ-Fe2O3/HfOx三明治结构,研究了HfOx缓冲层对γ-Fe2O3纳米微粒薄膜电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果显示:γ-Fe2O3纳米微粒平均粒径约为34.3 nm,HfOx缓冲层为氧配比不足的单斜相多晶薄膜.电学性能测试表明:插入HfOx缓冲层后,γ-Fe2O3纳米微粒薄膜的电阻开关特性明显改善:在-0.8 V读取电压下,高/低电阻态阻值平均比值约为18.7,该比值可稳定维持>100个循环周期.指数定律拟合实验曲线结果表明:高阻态漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主;而低阻态则以欧姆接触电导为主....

• 出版日期2014
• 单位西南大学