为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:CCD电极下的电荷容量随n沟道磷掺杂浓度的增加而迅速提高,但掺杂浓度的增加受期间体内击穿场强的限制,通过分析比较,取n沟道磷掺杂浓度为3×10~(16)cm~(-3)时抗晕效果较好,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
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