本发明公开了一种基于钙钛矿-有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法,其是以氧化硅片为衬底,在衬底上从下至上依次设置有钙钛矿-PCBM体异质结薄膜和DNTT薄膜,在DNTT薄膜上沉积有金电极对；钙钛矿-PCBM体异质结薄膜与DNTT薄膜形成垂直异质结。本发明的光电晶体管制备过程简单易行、器件性能良好,为研究更高性能的光电晶体管提供了新思路。
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