单轴应变对BaHfO_3电子结构与光学性质的调制影响

作者：张加宏; 刘清惓; 顾芳; 李敏; 冒晓莉; 葛益娴

来源：科学技术与工程, 2013, (02): 269-275.

• 铪酸钡
• 单轴应变
• 电子结构
• 光学性质
• 第一性原理 BaHfO3 uniaxial strain electronic properties optical properties first principles

从第一性原理出发,在广义梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,着重研究了单轴应变对钙钛矿型陶瓷材料BaHfO3电子结构与光学性质的调制影响。研究结果表明:无应变作用时,BaHfO3是一种宽禁带绝缘体;施加单轴应变后其逐渐呈现半导体材料的特征。BaHfO3带隙随拉应变增加线性减小,压应变与带隙则具有明显的非线性关系。对光学性质的分析发现:施加压(拉)应变后,介电函数虚部尖峰增多(减小),光学吸收带边产生蓝移(红移)。此外,单轴应变作用下BaHfO3的静态介电常数和折射率均变大。上述研究表明施加单轴应变有效调制了BaHfO3的电子结构和光学性质,计算结果为应变BaHf...

• 出版日期2013
• 单位南京信息工程大学