对于掠入射条件下原子从绝缘体表面散射,散射粒子束中高比例的负离子产额被观测到.Demkov模型定量解释了在低速负离子形成阈值附近的负离子产额的速度依赖关系,由于该模型未考虑任何电子损失行为,导致在较高速度时,不能解释形成负离子产额的下降趋势.提出了改进模型,考虑了电子隧穿通过排斥库伦位垒的量子隧穿机制,以及表面激子形成的贡献,能够描述氢负离子在氧化NiAl(110)表面的电子脱附行为,在整个速度范围内计算结果与实验数据符合较好.