薄膜太阳电池系列讲座(12) 硅基薄膜太阳电池(四)

作者：张晓丹; 赵颖; 熊绍珍

来源：太阳能, 2012, (09): 9-12.

• 等离子体:4920,非晶硅:3942,微晶硅:3411,前驱物:3198,薄膜太阳电池:3000,硅薄膜:2598,晶化率:2448,硅烷:2423,沉积:2321,表面覆盖:2315

<正>图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图。此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前,表面将被H覆盖。首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞,(1)电子将自己的动能给予SiH4,使其分解成SiH3和H原子;(2)SiH3附着于衬底表面;(3)SiH3在表面覆盖有H的帮助下,在衬底表面运动以寻找合适的成键位置;(4)最后在能量最低处与表面硅的悬键键合生成表面Si层上的原子之一;(5)上式分解出的原子H或表面覆盖的H,反过来也可能与

• 出版日期2012
• 单位南开大学