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摘要
对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的 ［１２３］取向的疲劳 Ｃｕ单晶体，进行了高密度脉冲电流处理结果表明，高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态，使驻留滑移带局部消失理论计算同时表明，高密度脉冲电流处理能提高 Ｃｕ单晶疲劳寿命．
- 出版日期2000
- 单位中国科学院金属研究所
对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的 ［１２３］取向的疲劳 Ｃｕ单晶体，进行了高密度脉冲电流处理结果表明，高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态，使驻留滑移带局部消失理论计算同时表明，高密度脉冲电流处理能提高 Ｃｕ单晶疲劳寿命．
