登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
A simulation model for PDSOI MOSFETs
作者：Bu Jianhui; Li Ying; Luo Jiajun; Han Zhengsheng
来源：
2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014
, 2014-10-28 To 2014-10-31.
DOI：10.1109/ICSICT.2014.7021673
Chinese Academy of Sciences
Device modeling
junction
PDSOI
PN
Ring oscillator
Shallow sources
Simulation model
出版日期
2014
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
