低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定

作者：曹友琦

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1982, (05): 351-358.

• 氮化硅膜
• 化学汽相淀积
• 俄歇电子能谱仪
• 湿氧氧化
• LPCVD
• 半导体工艺
• 氧化速率
• 掩膜
• 组份
• 硅单晶

本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采用俄歇电子能谱仪(AES)和二次离子质谱仪(SIMS)测定膜的组份比和膜中的氧含量,特别是用(AES)法详细分析了氮化硅膜的抗氧化能力.

• 出版日期1982
• 单位中国科学院半导体研究所