氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征

作者：廖乃镘; 李伟; 蒋亚东; 吴志明; 匡跃军; 祁康成; 李世彬

来源：中国科学E辑:技术科学 , 2008, (11): 1886-1890.

• 氢化非晶硅
• 等离子体增强化学气相沉积
• 喇曼散射
• 椭偏测量法

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.

• 出版日期2008
• 单位光电信息学院; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室