Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究

作者:邓叶; 王晓东; 朱彦旭; 曹伟伟; 刘飞飞; 杜志娟; 于宁
来源:光电子-激光, 2014, (08): 1511-1515.
DOI:10.16136/j.joel.2014.08.010

摘要

为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES)研究了欧姆接触的微观结构,比较了不同的金属电极的反射特性。结果表明,Ag(50nm)/Au(100nm)和n-ZnO薄膜的欧姆接触在退火温度为500℃时最好,欧姆接触电阻率仅为5.2×10-4Ω·cm-2,且其反射特性比其它金属电极好。

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