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摘要
以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30℃/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数k33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力.
- 出版日期2002
- 单位中国科学院上海硅酸盐研究所
