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摘要
在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在SOI基上制备了形貌为类针状的Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了CuO纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构,CuO纳米线直径约为80~100nm,长度约为10μm,CuO纳米线结晶性良好。
- 出版日期2014
- 单位兰州大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
