MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化

作者：王德煌王威礼李桂棠段树坤

来源：北京大学学报(自然科学版), 1992, (01): 96-100.

• 不掺杂薄GaAs层
• 线偏振光
• 吸收系数
• 折射率
• 电流 Undoped thin GaAs layer
• Linearly polarized light
• Absorption coef-ficient
• Refractive index
• Current

本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。

• 出版日期1992
• 单位北京大学; 中国科学院半导体研究所