超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性

作者：吴贵斌; 叶志镇; 赵星; 刘**; 赵炳辉

来源：浙江大学学报(工学版), 2006, 40(12): 2041-2043+2078.

DOI：10.3785/j.issn.1008-973X.2006.12.005

• 超高真空化学气相沉积
• 选择性外延
• 锗硅
• 肖特基二极管 UHV-CVD
• selective epitaxy
• SiGe
• Schottky junction

为了满足高性能的红外探测要求,以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管.利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点,采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术,550℃下,在硅光刻窗口处,选择性生长了锗硅外延层.由此技术生长的锗硅材料制作了硅基肖特基二极管原型器件,并研究了该二极管器件的电流-电压特性曲线.结果表明,与传统方法制备的非选择性外延锗硅肖特基二极管相比,该二极管器件可以避免在确定有源区后再经受高温处理,简化了器件制作工艺,该二极管反向漏电流低2~3个数量级,具有优良的器件电学特性.

• 出版日期2006
• 单位硅材料国家重点实验室; 浙江大学