铝插入层对硅基AlN外延特性的影响

作者：胡懿彬; 郝智彪; 胡健楠; 钮浪; 汪莱; 罗毅

来源：半导体光电, 2012, (06): 826-829.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2012.06.016

• PA-MBE
• AlN
• Al插入层
• Si衬底 PA-MBE
• AlN
• Al interlayer
• Si substrate

采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。

• 出版日期2012
• 单位清华大学