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A radiation-hardened-by-design technique for improving single-event transient tolerance of charge pumps in PLLs
作者:Zhao Zhenyu
*
; Zhang Minxuan; Chen Shuming; Chen Jihua; Li Junfeng
来源:
Chinese Journal of Semiconductors
, 2009, 30(12): 125009.
DOI:10.1088/1674-4926/30/12/125009
Charge pump
Charge pump phase-locked loops
Frequency shift
Loop filter
Loop parameters
Radiation-hardened-by-design
Recovery procedure
Recovery time
Single event transients
Single-events
Transistor-level simulation
Voltage controlled oscillator
Voltage perturbations
出版日期
2009--
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