HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制

作者：魏彦锋; 徐庆庆; 陈晓静; 张传杰; 孙士文; 方维政; 杨建荣

来源：红外与毫米波学报, 2009, 28(04): 246-248.

• 碲镉汞
• 液相外延
• 表面缺陷

研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜.

• 出版日期2009
• 单位中国科学院上海技术物理研究所