SnP2S6半导体层数依赖的压电效应(英文)

作者:乔玲; 郭宇*; 周思*
来源:四川大学学报(自然科学版), 2023, 60(05): 155-162.
DOI:10.19907/j.0490-6756.2023.054001

摘要

二维压电材料在能源、电子和光电子学方面的应用引起了越来越多的关注.从实验合成的压电晶体SnP2S6出发,我们系统研究了单层、双层、三层和块体SnP2S6的压电效应.第一性原理计算表明:层状SnP2S6具有良好的热力学和动力稳定性,其带隙和载流子有效质量与层数无关,而压电性质具有明显的层数依赖性;单层SnP2S6的压电系数(d11)高达14.18 pm/V,远大于MoS2、h-BN和InSe的压电系数,双层SnP2S6的面外压电系数(d33)大于12 pm/V.优异的压电性能使SnP2S6在二维压电传感器和纳米发电机等器件中的应用成为可能.

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