单晶硅生长原理及工艺

作者：刘立新; 罗平; 李春; 林海; 张学建; 张莹

来源：长春理工大学学报(自然科学版), 2009, 32(04): 569-573.

DOI：10.3969/j.issn.1672-9870.2009.04.013

• 单晶硅
• 直拉法生长
• 性能测试
• 氧杂质
• 碳杂质

介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。通过控制不同的工艺参数(晶体转速:2.5、10、20rpm;坩埚转速:1.25、5、10),成功生长出了三根150×1000mm优质单晶硅棒。分别对这三种单晶硅样品进行了电阻率、氧含量、碳含量、少子寿命测试,结果表明,当晶体转速为10rpm,坩埚转速为5rpm,所生长出的单晶硅质量最佳。最后分析了氧杂质和碳杂质的引入机制及减少杂质的措施。

• 出版日期2009
• 单位长春理工大学; 材料科学与工程学院; 吉林建筑大学