本发明属于半导体发光器件制造领域,具体涉及一种具有微结构增透膜的高压LED芯片,其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、P型层上的电极、N型层上的电极、连接桥、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有圆柱状微结构的增透膜。本发明能有效减少LED出光时的反射损耗,同时通过微结构减少由芯片到空气中的光线全反射。同时增透膜本身能抑制芯片本身潮气和杂质的扩散,起到最终的保护作用。
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