吸杂是减少硅中杂质和缺陷,提高多晶硅太阳电池效率的一种有效手段。本文比较了用三种吸杂方式对多晶硅进行处理的结果和影响:多孔硅吸杂,磷吸杂,多孔硅结合磷吸杂。三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。在此基础上研究了多孔硅吸杂的工艺,发现多孔硅吸杂的效果随退火的温度和时间影响比较大,在800℃氮气气氛下退火3h,多晶硅的少子寿命能由原来的1 4μs提高到25 6μs。相比之下,多孔硅吸杂工艺简单,更适合工业生产。
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