单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

作者：唐欣月; 高红; 潘思明; 孙鉴波; 姚秀伟; 张喜田

来源：Acta Physica Sinica, 2014, (19): 322-327.

• ZnO
• 纳米带
• 场效应管
• 迁移率 ZnO
• nanobelt
• field effect transistor
• mobility

采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.

• 出版日期2014
• 单位哈尔滨师范大学