快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响

作者：李雪; 亢勇; 陈江峰; 李向阳; 龚海梅; 方家熊

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (11): 1442-1446.

• 俄歇能谱深度分布
• 欧姆接触
• 势垒高度
• 隧穿电流 AES depth profile
• ohmic contact
• barrier height
• tunneling current

利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对 Ti/ Al- Ga N接触的影响 ,氮气中 6 0 0℃退火 6 0 s可以获得欧姆接触 .实验结果表明 ,退火温度的升高导致 N元素向表面扩散和界面反应的发生 .N空位的产生形成了重掺杂的界面 ,有利于电流的隧穿 ,界面处 Al,Ti,Ga,N三元系或四元系反应产物起到降低 Ti/ Ga N接触的势垒作用 .较高温度退火形成的欧姆接触是势垒高度降低和隧穿电流机制共同作用的结果

• 出版日期2004
• 单位传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所