温梯法自宝石晶体的缺陷研究

作者：李抒智; 周圣明; 司继良; 周国清; 董永军; 徐军

来源：人工晶体学报, 2003, (05): 491-494.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2003.05.018

• 白宝石
• 温梯法
• 位错
• 化学腐蚀
• 包裹物 sapphire crystal
• temperature gradient technique (TGT)
• dislocation
• chemical etch
• inclusion

采用导向温梯法(TGT)生长出[0001]方向直径为76mm的白宝石晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)观察晶体(0001)面的腐蚀坑形态,并对晶体内部的包裹物进行了能谱(EDS)分析。白宝石晶体中的生长缺陷主要为位错和包裹体等。Al_2O_3晶体(0001)面的位错腐蚀坑呈六角形,并且有台阶状结构。分析了(0001)面内的位错类型。确定了TGT法生长的白宝石内部的包裹物的主要成分为碳。

• 出版日期2003
• 单位中国科学院上海光学精密机械研究所