石英晶片外观缺陷对频率的影响

作者:宋佩颉; 李东; 王艳林
来源:现代电子技术, 2015, 38(09): 113-116.
DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2015.09.004

摘要

研究了石英晶片外观缺陷对频率的影响。石英晶片其自身存在的外观缺陷包括:崩边、玷污、缺角等,这些缺陷可能会影响到成品石英晶体电参数的性能,例如影响石英晶体的频率特性、电阻特性、DLD特性等。目前石英晶片在镀电极前均需要进行外观缺陷检测,国内大多采用人工目测检测的方式,光学方法的石英晶片的缺陷自动检测技术还不成熟。无论哪种检测方法,都具有比较大的主观性,目前还没有建立有关石英晶片对石英晶体电参数的影响关系的研究报道。因此需要研究石英晶片外观缺陷对石英晶体电参数的影响的对应关系,以便能更准确地分选出对石英晶片电参数有影响的存在外观缺陷的石英晶片。

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