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Multiple Memory States in Resistive Switching Devices Through Controlled Size and Orientation of the Conductive Filament
作者:Balatti S; Larentis S; Gilmer D C; Ielmini D
*
来源:
Advanced Materials
, 2013, 25(10): 1474-1478.
DOI:10.1002/adma.201204097
resistive switching
metalinsulator transitions
semiconductor memory
nonvolatile storage
nanoionics
出版日期
2013-3-13
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