运用相平衡分析的方法，对（Ｇａ，Ｉｎ）Ａｓ半导体ＭＯＶＰＥ生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析，得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律，同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析。
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