Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析

作者：王一; 杨晨; 郭祥; 王继红; 刘雪飞; 魏节敏; 郎啟智; 罗子江; 丁召

来源：Acta Physica Sinica, 2018, 67(08): 33-38.

• AlGaAs
• 薄膜
• 退火

在As4束流等效压强为1.2×10-3Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.

• 出版日期2018
• 单位贵州大学; 贵州财经大学