AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响

作者：王维; 顾国栋; 敦少博; 吕元杰

来源：半导体技术, 2016, (05): 378-383.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.05.011

• AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
• SiC衬底
• AlGaN背势垒
• 直流(DC)特性
• 射频(RF)特性 AlN/GaN high electron mobility transistor(HEMT)
• SiC substrate
• AlGaN back barrier
• direct current(DC) characteristic
• radio frequency(RF) characteristic

利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测试结果表明,有背势垒结构的器件最大饱和电流密度和峰值跨导要小于无背势垒结构器件,栅压偏置为+1 V时,无背势垒的Al N/Ga N HEMT器件最大饱和电流密度为1.02 A·mm-1,峰值跨导为304 m S·mm-1,有背势垒结构的器件饱和电流密度为0.75 A·mm-1,峰值跨导为252 m S·mm-1。有背势垒结构器件的亚阈值斜率为136 m V/dec,击穿电压为78 V;无背势垒结构器件的亚阈值斜率为150 m V/dec,击穿电压为64 ...

• 出版日期2016-5-3
• 单位中国电子科技集团公司第十三研究所