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X-ray reciprocal space mapping of dislocation-mediated strain relaxation during InGaAs/GaAs(001) epitaxial growth (vol 110, 113502, 2011)
作者：Sasaki Takuo
*
; Suzuki Hidetoshi; Takahasi Masamitu; Ohshita Yoshio; Kamiya Itaru; Yamaguchi Masafumi
来源：
Journal of Applied Physics
, 2013, 113(19): 199901.
DOI：10.1063/1.4804236
出版日期
2013-5-21
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