单晶硅表面金字塔生长过程的实验研究

作者：田嘉彤; 冯仕猛; 王坤霞; 徐华天; 刘峰; 黄建华; 杨树泉; 裴俊

来源：光子学报, 2011, (10): 1505-1508.

DOI：10.3788/gzxb20114010.1505

• 单晶硅
• 微结构
• 绒面 Single crystal Si
• Micro-structure
• Textured structure

在普通碱液中添加一种特殊的添加剂,在不同时间下对单晶硅表面进行刻蚀.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,结果显示:单晶硅片放入加入添加剂2mL的刻蚀液中,经过10min刻蚀后晶体表面零星出现大小不一的金字塔,并有大面积的平滑区;刻蚀15min后金字塔大小趋向一致,平滑区面积缩小;刻蚀20min硅片表面形成平均尺寸为2～4μm金字塔绒面结构,并且均匀性好、覆盖率高;刻蚀25min后,进入过腐蚀阶段,金字塔出现变大的现象.研究表明:与传统碱腐蚀相比,添加剂可以缩短单晶硅刻蚀时间,并获得较为理想的绒面结构,在工业上应用可以降低生产成本和生产时间,提高生产率.

• 出版日期2011
• 单位上海交通大学; 上海神舟新能源发展有限公司