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Atomic Layer Deposition of Wet-Etch Resistant Silicon Nitride Using Di(sec-butylamino)silane and N-2 Plasma on Planar and 3D Substrate Topographies

作者：Faraz Tahsin; van Drunen Maarten; Knoops Harm C M; Mallikarjunan Anupama; Buchanan Iain; Hausmann Dennis M; Henri Jon; Kessels Wilhelmus M M
来源：ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 9(2): 1858-1869.
DOI：10.1021/acsami.6b12267
  • 出版日期2017-1-18

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更新时间：2024-04-06 02:26