4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计

作者：苗志坤; 陈光; 左国辉

来源：微电子学, 2014, (02): 249-252.

• 肖特基二极管
• 导通压降
• 击穿电压
• 反向漏电流 Schottky diodes
• Forward voltage drop
• Breakdown voltage
• Reverse leakage current

室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压达到2 230V,耐压值提高11%。反向电压为1 000V时,反向漏电流密度比普通结构降低90%,有效地降低了器件的漏电功耗。普通结构的开/关电流比为2.56×103(1~500V),而改进结构的开/关电流比为3.59×104(1~500V)。

• 出版日期2014
• 单位中国电子科技集团公司第五十四研究所; 中国航天科工集团公司