Hg_(1-x)Cd_xTe N~+-P栅控二极管表面沟道漏电的理论和实验研究

作者：袁皓心; 童斐明; 汤定元

来源：红外与毫米波学报, 1992, (01): 11-20.

• Hg_(1-x)Cd_xTe
• 光电二极管
• 表面效应
• 漏电流 Hg_(1-x)Cd_xTe
• photodiodes
• surface effect
• leakage current

制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe的特殊性质后,计算了表面沟道电流决定的P-N结正、反向I-V特性和R_0A的温度特性,以及它们与表面状态的关系.理论与实验定性相符.

• 出版日期1992
• 单位中国科学院上海技术物理研究所