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摘要
采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO2掺杂对Si-B复合涂层在1 150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO2掺杂前后Si-B复合涂层在1 150℃下氧化160 h的氧化动力学行为。结果表明:适量CeO2的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO2掺杂量为1%(质量分数)时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最大且均匀致密,但随着CeO2掺杂量的增加,涂层厚度有所减小。CeO2掺杂Si-B复合涂层在1 150℃下氧化前70 h的氧化速率常数值(1.48×10-4mg2/(cm4·h))较未掺杂时明显降低,这表明CeO2掺杂Si-B复合涂层的高温抗氧化性能较好。
- 出版日期2020
- 单位长安大学; 金堆城钼业股份有限公司
