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摘要
采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT-IR,UV,1HNMR表征其结构。分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si-Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响。结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si-Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%~15%;在电化学合成聚硅烷的过程中,单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂蒽的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率。本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测。
