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摘要
本发明公开了一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法,包括以下步骤：在(111)面Si衬底上生长金属插入层,并在其上继续通过金属有机物化学气相沉积法生长单晶AlN薄膜,最后在单晶AlN薄膜上沉积金属电极和支撑层。通过薄膜转移、剥离、顶电极刻蚀等过程,最终形成薄膜体声波谐振器的三明治压电堆叠结构。本发明通过引入金属插入层一方面减轻了AlN外延与生长衬底间的失配现象,提高了良品率和器件优值；另一方面在薄膜转移与剥离后可直接刻蚀出顶电极图案,简化制备工序。
- 出版日期2018-10-10
- 单位华南理工大学
