AlGaN/GaN HEMT器件结构退化影响因素的研究现状

作者：付兴中; 赵金霞; 崔玉兴; 付兴昌

来源：半导体技术, 2016, (03): 161-168+197.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.03.001

• GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
• 可靠性
• 结构退化
• 电学退化
• 凹点
• 裂纹 GaN high electron mobility transistor(HEMT)
• reliability
• structural degradation
• electrical degradation
• pit
• crack

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于高压、大功率等应力条件导致的电学退化过程中往往伴随着结构退化现象产生,结构退化研究对提高器件可靠性起着重要的作用。介绍了近年来国外在高压、大功率、高温、加压时间及辐射等不同因素对GaNHEMT器件结构退化的影响方面的研究进展。发现GaNHEMT器件的栅边缘下方出现的凹点和裂纹等结构缺陷是高压、大功率、高频等许多应力条件下都会出现的普遍现象,且凹点和裂纹的退化程度随电学退化程度的加深而加大,并导致器件的可靠性下降。GaNHEMT器件结构退化现象的本质以及改进措施将是未来研究的重点。

• 出版日期2016-3-3
• 单位中国电子科技集团公司第十三研究所