氮等离子体辅助脉冲激光沉积生长p型ZnO∶N薄膜的光学和电学性质(英文)

作者：王雷; 徐海阳; 李兴华; 刘益春

来源：发光学报, 2011, (10): 977-982.

• p型
• ZnO∶N薄膜
• PLD
• 光学和电学性质 p-type
• ZnO∶N films
• PLD
• optical and electrical properties

通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO∶N)薄膜。经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO∶N薄膜呈现p型导电特性。利用X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)和霍尔测量对ZnO∶N薄膜中N的化学状态及其光学和电学性质进行了系列的研究。结果表明:所制得的p型ZnO∶N薄膜为高度补偿半导体;RTA工艺不仅可以激活薄膜中更多的N受主,还可以弱化由薄膜中的施主缺陷造成的自补偿效应。在低温PL光谱中观察到了3种与氮受主相关的光发射,并且通过自由电子-受主(FA)辐射复合光发射确定了薄膜中N受主的离化能(128 meV)。随着退火温度的升高,施主-受主对发射峰呈现...

• 出版日期2011
• 单位东北师范大学