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Deep level defects in n-type GaAsBi and GaAs grown at low temperatures (vol 113, 133708, 2013)
作者：Mooney P M
*
; Watkins K P; Jiang Zenan; Basile A F; Lewis R B; Bahrami Yekta V; Masnadi Shirazi M; Beaton D A; Tiedje T
来源：
Journal of Applied Physics
, 2015, 117(1): 019901.
DOI：10.1063/1.4905390
出版日期
2015-1-7
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