第一性原理对CdnSen(11≤n≤16)和Cd15Se16Ag纳米团簇电子性质研究

作者：索凤怡

来源：哈尔滨商业大学学报(自然科学版), 2017, 33(04): 444-449.

DOI：10.19492/j.cnki.1672-0946.2017.04.015

• CdSe
• Ag掺杂
• 密度泛函理论
• 结构和电子性质

由于自身电子性质的可协调性,镉硫族半导体尤其是掺杂的纳米半导体团簇吸引了广泛关注.采用密度泛函理论的方法对CdnSen(11≤n≤16)和Cd15Se16Ag稳定结构进行了模拟研究分析.考虑到Ag原子掺杂在Cd16Se16纳米团簇中位置的不同,主要讨论了两种可能的掺杂位(S1,S2).基于此,详细地分析了Cd15Se16AgS1和Cd15Se16AgS2团簇的几何结构和电子性质.Ag原子的掺杂改变了其自身的对称群和大小,而Ag原子掺杂位置的不同也被重点关注.此外,详细分析了结合能、带隙、态密度和电荷密度分布.结果表明掺杂后引入了一个新的能级,该能级被称为受主能级.介于价带和导带间的受主能级电荷密度的贡献主要来自于Se原子的p轨道和Ag原子的d轨道.这些说明了Ag原子掺杂和掺杂位置是两个影响着团簇电子性质的重要原因.

• 出版日期2017
• 单位天津工业大学